[发明专利]电光装置用基板、其制造方法、电光装置及电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及例如用于液晶装置等电光装置中的电光装置用基板及其制造方法，以及具备该电光装置用基板的电光装置及具备该电光装置的如液晶投影机等电子设备的技术领域。

背景技术

作为这种电光装置一例的液晶装置不仅仅是直观式显示器，例如作为投影型显示装置的光调制机构(光阀)也已被广泛使用。特别是在投影型显示装置的情况下，因为来自光源的强光入射于液晶光阀，所以作为遮光机构的遮光膜内置在液晶光阀中，该遮光机构用来遮挡入射光，以便不因该光而使液晶光阀内的薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)发生泄漏电流的增大、误工作等。对于这种遮光机构或遮光膜来说，例如专利文献1公示出一种在TFT的沟道区域利用作为栅电极发挥作用的扫描线进行遮光的技术。根据专利文献2，则通过设置形成于沟道区域上的多个遮光膜和吸收内面反射光的层，减少了到达TFT沟道区域的光。专利文献3公示出一种能够确保TFT的最佳工作以及使扫描线窄小化、同时尽可能减少向TFT沟道区域入射的入射光之技术。

专利文献1：特开2004-4722号公报

专利文献2：特许3731447号公报

专利文献3：特开2003-262888号公报

但是，例如存在下述的问题，即在向形成于沟道区域和源漏区域之间的如LDD(Lightly Doped Drain，轻掺杂漏)区域等结区域照射光时，在结区域产生光泄漏电流。针对这种问题，虽然可以考虑在沟道区域两侧的各个结区域上设置遮光机构，但是从显示性能的观点来看，在像素中使实质透射光的开口区域变狭窄，是非优选的。一方面，本申请发明人推测出，在向形成于连接于像素电极的源漏区域和沟道区域之间的结区域照射光时，和向形成于连接于数据线的源漏区域和沟道区域之间的结区域照射光的情形相比较，易于发生TFT中的光泄漏电流。

另一方面，就这种电光装置而言，以实现装置的小型化及显示图像的高清晰化为目的，还有对像素微小化的要求。

发明内容

本发明是鉴于上述问题所在等而做出的，其目的为，提供用于电光装置的电光装置用基板及其制造方法以及具备那种电光装置用基板的电光装置及电子设备，该电光装置例如是采用有源矩阵方式进行驱动的液晶装置等，可以实现较高的开口率，并能有效减少TFT中光泄漏电流的发生，且能够实现显示图像的高清晰化。

本发明所涉及的电光装置用基板为了解决上述问题，其特征为，在基板上具备：数据线及扫描线，相互交叉进行延伸；像素电极，设置于限定为与上述数据线及上述扫描线的交叉处对应的每个像素中；以及晶体管，具有半导体层及栅电极，该半导体层具有沟道区域、数据线侧源漏区域、像素电极侧源漏区域、第1结区域和第2结区域，该沟道区域在每个上述像素的相互隔着开口区域的非开口区域之中的沿着第1方向延伸的第1区域具有沿上述第1方向的沟道长度，该数据线侧源漏区域电连接于上述数据线，该像素电极侧源漏区域电连接于上述像素电极，该第1结区域形成于上述沟道区域及上述数据线侧源漏区域间，该第2结区域形成于上述沟道区域及上述像素电极侧源漏区域间，该栅电极具有主体部和延伸设置部，该主体部在下述开口部内相对上述沟道区域通过栅绝缘膜来配置，该开口部开设于配置为覆盖上述半导体层的绝缘膜的、与上述沟道区域重合的部分，该延伸设置部以覆盖上述第2结区域的方式从该主体部延伸设置到上述绝缘膜上；上述第2结区域位于：上述非开口区域之中的沿着与上述第1方向相交的第2方向延伸的第2区域及上述第1区域相互交叉的交叉区域内。

根据具备本发明的电光装置用基板的电光装置，在其工作时，例如能够在电光装置用基板中控制从数据线向像素电极的图像信号的供给，实现采用所谓有源矩阵方式的图像显示。还有，图像信号通过：作为电连接于数据线及像素电极间的开关元件的晶体管按照从扫描线供给的扫描信号进行导通及截止，按预定的定时从数据线经由晶体管被供给到像素电极。像素电极例如是由ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)等透明导电材料构成的透明电极，并且对应于数据线及扫描线的交叉处，在基板上应成为显示区域的区域内按矩阵状设置多个。

这里，扫描线、数据线及晶体管不设置于各像素的开口区域，而设置于非开口区域内，以便不妨碍显示。