[发明专利]用擦除栅极执行擦除操作的半导体存储装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200810002004.8 | 申请日： | 2008-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN101271901A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 李晟熏;朴星一;陈暎究;金钟燮;洪起夏 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/792;H01L29/49;H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/28;G11C16/14;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;刘奕晴 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种用擦除栅极执行擦除操作的半导体存储装置及其制造方法。所述半导体存储装置可以包括存储具有第一极性的第一电荷传输介质的电荷捕获层以及至少一个擦除栅极。所述至少一个擦除栅极可以形成在电荷捕获层下方。具有与第一极性相反的第二极性的第二电荷传输介质可以存储在所述至少一个擦除栅极中。在擦除操作的过程中，第二电荷传输介质迁移到电荷捕获层，导致第一电荷传输介质与第二电荷传输介质结合。 | ||
| 搜索关键词： | 擦除 栅极 执行 操作 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储装置，包括：电荷捕获层，存储具有第一极性的第一电荷传输介质；至少一个擦除栅极，形成在所述电荷捕获层下方，其中，所述至少一个擦除栅极包含具有与所述第一极性相反的第二极性的第二电荷传输介质，其中，在擦除模式下，所述第二电荷传输介质迁移到所述电荷捕获层，导致所述第一电荷传输介质与所述第二电荷传输介质结合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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