[发明专利]在闪存装置中编程的方法有效
| 申请号： | 200810000296.1 | 申请日： | 2008-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN101364442A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 卢由钟;朴世泉 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在闪存装置中编程方法。该方法包括：通过将第一存储单元的第一编程电压施加到字线，对耦合到偶数位线的第一存储单元进行编程；通过第一验证电压验证第一存储单元是否被编程，并在第一存储单元未被编程的情况下使用比第一存储单元的第一编程电压以步长电压顺序增加的编程电压对第一存储单元进行编程，通过将第二存储单元的第一编程电压施加到字线，对耦合到奇数位线的第二存储单元进行编程，以及通过高于第一验证电压的第二验证电压验证第二存储单元是否被编程，并且在第二存储单元未被编程的情况使用比第二存储单元的第一编程电压以步长电压顺序增加的编程电压对第二存储单元进行编程。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 装置 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使用递增步长脉冲编程(ISPP)方法的在闪存装置中编程的方法，该方法包括：使用以第一步长电压增加的第一存储单元的编程电压，对第一存储单元进行编程，所述第一存储单元耦合到第一位线；以及使用以第二步长电压增加的第二编程电压，对第二存储单元进行编程，其中所述第二步长电压高于所述第一步长电压，所述第二存储单元耦合到第二位线，其中所述第一位线和所述第二位线彼此相邻地设置。
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