[发明专利]在闪存装置中编程的方法

权利要求书

1.一种使用递增步长脉冲编程方法的在闪存装置中编程的方法，该方法包括：

使用以第一步长电压增加的第一存储单元的编程电压，对第一存储单元进行编程，所述第一存储单元耦合到第一位线；以及

使用以第二步长电压增加的第二编程电压，对第二存储单元进行编程，其中所述第二步长电压高于所述第一步长电压，所述第二存储单元耦合到第二位线，

其中所述第一位线和所述第二位线彼此相邻地设置。

2.一种在闪存装置中编程的方法，该方法包括：

将第一存储单元的第一编程电压施加到与第一存储单元相关联的字线，所述第一存储单元耦合到第一位线；

如果判断出所述第一存储单元还未通过所述第一存储单元的所述第一编程电压被编程，则将所述第一存储单元的第二编程电压施加到与所述第一存储单元相关联的字线，所述第一存储单元的所述第二编程电压比所述第一存储单元的所述第一编程电压高第一步长电压；

将与所述第一存储单元的所述第一编程电压相等的第二存储单元的第一编程电压施加到与第二存储单元相关联的字线，所述第二存储单元耦合到第二位线，其中所述第二位线与所述第一位线相邻；以及

如果判断出所述第二存储单元还未被编程，则将所述第二存储单元的第二编程电压施加到与所述第二存储单元相关联的字线，其中所述第二存储单元的所述第二编程电压比所述第二存储单元的所述第一编程电压高第二步长电压，且所述第二步长电压高于所述第一步长电压。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述第二步长电压比所述第一步长电压高大约0.1V。

4.如权利要求2所述的方法，其中所述第一步长电压约为0.3V，且所述第二步长电压约为0.4V。

5.一种在闪存装置中编程的方法，该方法包括：

执行第一编程操作，使得耦合到第一位线的第一存储单元的阈值电压增加到小于目标电压的第一电压；以及

执行第二编程操作，使得耦合到第二位线的第二存储单元的阈值电压增加到等于或高于所述目标电压的第二水平，并且所述第一存储单元的阈值电压增加到等于或高于所述目标电压的第三水平。

6.一种在闪存装置中编程的方法，该方法包括：

将第一存储单元的第一编程电压施加到与第一存储单元相关联的字线，所述第一存储单元耦合到第一位线；

通过将第一验证电压施加到与所述第一存储单元相关联的字线，验证所述第一存储单元是否被编程；

将与所述第一存储单元的所述第一编程电压相等的第二存储单元的第一编程电压施加到与第二存储单元相关联的字线，所述第二存储单元耦合到与所述第一位线相邻的第二位线；以及

通过将第二验证电压施加到与所述第二存储单元相关联的字线，验证所述第二存储单元是否被编程，所述第二验证电压高于所述第一验证电压。

7.如权利要求6所述的方法，还包括：

如果判断出所述第一存储单元已被适当编程，则结束对所述第一存储单元的编程；以及

如果判断出所述第一存储单元还未被恰当编程，则将第二编程电压施加到与所述第一存储单元相关联的字线，其中，所述第二编程电压比所述第一存储单元的所述第一编程电压高了步长电压。

8.如权利要求6所述的方法，其中使用递增步长脉冲编程方法来对所述第一存储单元和第二存储单元进行编程。

9.一种在闪存装置中编程的方法，该方法包括：

将第一存储单元的第一编程电压施加到与第一存储单元相关联的第一字线，所述第一存储单元耦合到第一位线；

通过将第一验证电压施加到所述第一字线，验证所述第一存储单元是否被编程；

如果判断出所述第一存储单元还未被编程，将所述第一存储单元的第二编程电压施加到所述第一字线，所述第一存储单元的所述第二编程电压比所述第一存储单元的所述第一编程电压高第一步长电压；

将与所述第一存储单元的所述第一编程电压相等的第二存储单元的第一编程电压施加到与第二存储单元相关联的第二字线，所述第二存储单元耦合到与所述第一位线相邻的第二位线；

通过将第二验证电压施加到所述第二字线，验证所述第二存储单元是否被编程，所述第二验证电压高于所述第一验证电压；

如果判断出所述第二字线还未被编程，则将所述第二存储单元的第二编程电压施加到所述第二字线，所述第二存储单元的所述第二编程电压比所述第二存储单元的所述第一编程电压大第二步长电压，所述第二步长电压高于所述第一步长电压。