[发明专利]被破坏低k介电膜层去除的方法无效
| 申请号： | 200780047559.8 | 申请日： | 2007-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101627460A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 尹秀敏;赵成焕;什里坎特·洛霍卡雷;马克·威尔考克森;约翰·M·德拉里奥斯;斯蒂芬·霍夫曼 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于从低k介电膜层去除被破坏材料的装置、系统和方法，包括识别控制化学制剂，该控制化学制剂配置为有选择地从该低k介电膜层去除该被破坏材料，该被破坏材料位于一个区域，在该区域内透过该低k介电膜层形成特征；建立多个处理参数，以表征将被去除的该被破坏材料的方面，以及将该控制化学制剂应用到该低k介电膜层，基于所建立的该被破坏材料的处理参数限定该控制化学制剂的应用，从而从围绕该特征的区域大体上去除该被破坏材料，并且围绕该特征的该区域大体上由该低k介电膜层的低k特性限定。 | ||
| 搜索关键词： | 破坏 介电膜层 去除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种从基片的低k介电膜层去除被破坏材料的方法，包括：识别控制化学制剂，该控制化学制剂配置为有选择地从该低k介电膜层去除该被破坏材料，该被破坏材料位于一个区域，在该区域内透过该低k介电膜层形成特征；建立多个处理参数来表征将被去除的该被破坏材料的方面；以及将该控制化学制剂应用到该低k介电膜层，基于所建立的该被破坏材料的多个处理参数限定该控制化学制剂的应用，从而从围绕该特征的区域大体上去除该被破坏材料，并且围绕该特征的该区域大体上由与该低k介电膜层大体上相同的低k特性限定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
