[发明专利]被破坏低k介电膜层去除的方法

权利要求书

1.一种从基片的低k介电膜层去除被破坏材料的方法，包括：

识别控制化学制剂，该控制化学制剂配置为有选择地从该 低k介电膜层去除该被破坏材料，该被破坏材料位于一个区 域，在该区域内透过该低k介电膜层形成特征；

使用临近端头将该控制化学制剂作为流体弯液面应用到 该低k介电膜层，以及

在该基片上方移动该流体弯液面以接触该低k介电膜层 的该被破坏材料的该区域，该流体弯液面覆盖的面积小于该基 片的整个面积从而该被破坏材料被从暴露于该流体弯液面的 该区域中除去以限定与该低k介电膜层相同的低k特性。

2.根据权利要求1所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材料 的方法，其中该被破坏材料具有比邻接低k介电膜层较高的介 电常数。

3.根据权利要求2所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材料 的方法，其中该较高的介电常数具有碳消耗特性。

4.根据权利要求3所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材料 的方法，其中碳消耗由多种用以限定该基片特征的制造操作中 的任一种所导致，该多种制造操作为蚀刻、沉积、化学机械抛 光、以及光刻中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材料 的方法，其中在该低k介电膜层上方和下方形成多个膜层，该 多个膜层通过多个限定该基片的该特征的多个制造操作形成。

6.根据权利要求5所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材料 的方法，其中该特征透过该多个膜层形成。

7.根据权利要求6所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材料 的方法，进一步包括从围绕该特征的区域去除该多个膜层部 分，从而保留该特征形貌。

8.根据权利要求1所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材料 的方法，其中多个处理参数包括以下一种或多种：将被去除的 膜层的类型、将被去除的膜层的化学组成、将被去除的膜层的 厚度、在应用控制化学制剂之前将被去除的膜层处的温度。

9.根据权利要求1所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材 料的方法，其中该控制化学制剂的应用为通过一种控制机制， 该控制机制配置为在该控制化学制剂应用过程中，基于多个所 建立的该被破坏材料的处理参数，控制该控制化学制剂的一种 或多种特性。

10.根据权利要求9所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材 料的方法，其中该控制化学制剂的特性包括以下一种或多种： 该控制化学制剂的流率、该控制化学制剂的浓度、该控制化学 制剂的温度、以及该控制化学制剂的暴露时间。

11.根据权利要求1所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材料 的方法，其中该控制化学制剂的应用为在该基片上进行的清洁 操作过程中，该控制化学制剂包括有清洁化学制剂，并在该基 片上进行的该清洁操作过程中应用到该低k介电膜层。

12.根据权利要求1所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材料 的方法，其中该控制化学制剂的应用为在该基片上进行的清洁 操作过程中，该控制化学制剂备选地与清洁化学制剂在该基片 上进行的该清洁操作过程中应用到该基片的表面。

13.根据权利要求1所述的从基片的低k介电膜层去除被破坏材料 的方法，其中该控制化学制剂从由氢氟酸、硫酸、磷酸以及含 氟盐所组成的组中选取。