[发明专利]半导体器件的制造装置及制造方法、以及利用该制造方法制造的半导体器件

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制造装置及制造方法以及利用该制造方法制造的半导体器件。该半导体器件的制造装置包括：收纳以各个有效区域为单位被进行间歇运送的可弯性基板(10)的各个处理室(C1)到(C3)，设置在各个处理室(C1)到(C3)内的第一电极(Hb)及第二电极(Hc)，以及以当可弯性基板(10)的各个有效区域运送到第一电极(Hb)与第二电极(Hc)之间时使该有效区域露出的方式开口的掩模部(23a)。各个处理室(C1)到(C3)包括：用来对从掩模部(23a)的开口部分露出的可弯性基板(10)的有效区域进行等离子体处理的等离子体处理部，与掩模部(23a)中的导入一侧的部分重叠并配置有进行等离子体处理之前的可弯性基板(10)的有效区域的第一待机部，以及与掩模部(23a)中的送出一侧的部分重叠并配置有进行等离子体处理之后的可弯性基板(10)的有效区域的第二待机部。

主权项

1.一种半导体器件的制造装置，包括处理室、第一电极及第二电极以及掩模部，该处理室用来对沿长度方向排列而配置多个有效区域且以所述各个有效区域为单位被进行间歇运送的可弯性基板的至少一部分进行收纳，该第一电极及该第二电极设置为在所述处理室的内部相向，该掩模部设置在所述第一电极与所述第二电极之间，并以当所述可弯性基板的各个有效区域通过间歇运送送到所述第一电极与所述第二电极之间时使该有效区域露出的方式开口，所述半导体器件的制造装置通过经由所述掩模部的开口部分对所述可弯性基板的各个有效区域进行利用在所述第一电极与所述第二电极之间产生的等离子体的等离子体处理，来制造半导体器件，其特征在于：所述处理室包括等离子体处理部、第一待机部及第二待机部，该等离子体处理部用来对从所述掩模部的开口部分露出的所述可弯性基板的有效区域进行所述等离子体处理，该第一待机部与所述掩模部重叠而设置在比该等离子体处理部还靠近导入一侧的位置上，并在该第一待机部中配置有进行所述等离子体处理之前的所述可弯性基板的有效区域，该第二待机部与所述掩模部重叠而设置在比所述等离子体处理部还靠近送出一侧的位置上，并在该第二待机部中配置有进行所述等离子体处理之后的所述可弯性基板的有效区域。