[发明专利]半导体器件的制造装置及制造方法、以及利用该制造方法制造的半导体器件

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体器件的制造装置及制造方法、以及利用该制造方法制造的半导体器件，特别涉及通过在长尺寸可弯性(flexible)基板上连续地形成薄膜而制造的半导体器件的制造技术。

背景技术

集成电路、液晶显示装置、有机电致发光器件及太阳能电池等电子装置是例如利用下述等离子体处理装置制造的，如：用等离子体形成半导体膜等的等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)装置、以及用等离子体对被蚀刻膜进行蚀刻的等离子体蚀刻装置等等。

作为在可弯性基板上制造所述电子装置的方法，在所述等离子体处理装置内连续地处理长尺寸可弯性基板的卷对卷(roll-to-roll)方式和间歇卷绕(stepping-roll)方式已实用化。

在此，所述卷对卷方式例如是下述方法，即：在多个薄膜形成室连结为一列的等离子体处理装置的内部，一边使被处理基板不停止而连续不断地移动，一边在各个薄膜形成室内形成规定的薄膜，从而依次层叠各种薄膜。而所述间歇卷绕方式是下述方法，即：在所述等离子体处理装置的各个薄膜形成室内暂时停止被处理基板并形成薄膜，然后通过间歇运送将该被处理基板的形成薄膜的部分送向相邻的下一个薄膜形成室，再进行下一次薄膜形成处理。根据该间歇卷绕方式，因为各个薄膜形成室在进行薄膜形成处理的那一段时间内被密封，所以与所述卷对卷方式相比更有效地抑制反应气体在各个薄膜形成室之间相互扩散。

例如，专利文献1公开了下述间歇卷绕式薄膜制造装置，即：该薄膜制造装置由发送用备份真空室、对进行了薄膜形成处理的可弯性基板进行卷绕的卷绕收纳用备份真空室、设置在该发送用备份真空室与该卷绕收纳用备份真空室之间的多个薄膜形成室、对该发送用备份真空室或该卷绕收纳用备份真空室与相邻的薄膜形成室之间的连通孔进行开闭的侧壁密封部以及对薄膜形成室相互间的连通孔进行开闭的室间密封部构成，在发送用备份真空室和卷绕收纳用备份真空室内设置有引导辊，所述引导辊对发送辊或卷绕收纳辊与连通孔之间的可弯性基板运送方向进行转换，从而使该运送方向在连通孔附近与侧壁平行，通过对侧壁密封部及室间密封部进行封闭来对各个薄膜形成室完全进行真空密封，而通过打开该侧壁密封部及该室间密封部，则能够进行间歇运送。具体而言，据该专利文献1所述，该薄膜制造装置例如用来连续地制造薄膜太阳能电池等薄膜光电转换器件，根据该薄膜制造装置，能够以低廉的成本制造来受到杂质的影响而薄膜形成质量很高的薄膜。专利文献1：日本公开专利公报特开2000-216094号公报

-发明要解决的技术问题-

构成有源矩阵驱动式液晶显示装置，利用所述间歇卷绕方式制造为每个图像最小单位即像素分别形成有例如薄膜晶体管(以下，称该薄膜晶体管为“TFT”)作为开关元件的有源矩阵基板时，想到下述问题。

图11是现有间歇卷绕式薄膜制造装置150的横向剖视图，图12是显示在薄膜制造装置150内被进行间歇运送的可弯性基板110的俯视图。

如图11和图12所示，该薄膜制造装置150包括从附图的左侧向右侧依次连续地设置的卷绕发送室M1、第一薄膜形成室C1、第二薄膜形成室C2、第三薄膜形成室C3及卷绕收纳室M2，该薄膜制造装置150构成为：通过间歇运送将卷在卷绕发送室M1内的卷绕发送辊R1上的可弯性基板110依次送向第一薄膜形成室C1、第二薄膜形成室C2及第三薄膜形成室C3，进行薄膜形成处理，然后将该进行薄膜形成处理后的可弯性基板110卷绕在卷绕收纳室M2内的卷绕收纳辊R2上。

另一方面，如图11和图12所示，各个薄膜形成室C1到C3包括设置作阳极电极的加热电极H、与加热电极H相向而配置的阴极电极S及沉积掩模123，该沉积掩模123设置为框状，以对在加热电极H与阴极电极S之间被进行间歇运送的可弯性基板110中的有效区域(薄膜形成区域)E以外的区域进行覆盖。该各个薄膜形成室C1到C3构成为：经由沉积掩模123的开口部分进行利用在加热电极H与阴极电极S之间产生的等离子体的薄膜形成处理。