[发明专利]用于功率器件、尤其是功率半导体器件的防爆型模块结构及其制造有效
申请号: | 200780043446.0 | 申请日: | 2007-11-20 |
公开(公告)号: | CN101542720A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | H·施沃兹鲍尔 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | H01L23/18 | 分类号: | H01L23/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 胡莉莉;刘春元 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种功率模块、尤其是具有尤其是电子功率半导体器件(1)的至少一个电功率器件的功率模块。在功率半导体器件(1)的底边上和上边上产生用于负载电流的电接触。为了在电子功率半导体器件(1)过载时减小爆炸压力和耗用功率,在电接触的电接触面(9)上构造填充有至少一个导电粒子(5)的空腔(7)。在短路时,首先在功率半导体器件(1)的半导体元件厚度上构造电弧,并且随后由空腔(7)中的填充料承担电流传导。空腔(7)中的填充料优选地为多个球形的导电粒子(5)。在短路时,爆炸压力可以泄露到该填充料中的中间空隙中。此外,金属蒸汽被冷却并被冷凝。为了减小爆炸压力,从空腔(7)向该空腔(7)之外附加地产生通道。通过这种方式,可以阻止功率器件在电过载时损坏其环境。因此例如可以对晶闸管进行改进。 | ||
搜索关键词: | 用于 功率 器件 尤其是 半导体器件 防爆 模块 结构 及其 制造 | ||
【主权项】:
1.一种功率模块,其具有至少一个电功率器件、尤其是电子功率半导体器件(1),所述至少一个电功率器件具有在功率器件的底边上产生的用于负载电流的第一电接触和借助电接触面(9)在功率器件的上边上产生的用于负载电流的第二电接触,其特征在于,为了在功率器件过载时减小爆炸压力和耗用功率,在电接触面(9)上构造了充填有至少一个导电粒子(5)的空腔(7)。
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