[发明专利]无微管碳化硅及其相关制备方法无效
| 申请号： | 200780042190.1 | 申请日： | 2007-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101536168A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 杰姆·巴什切里;尤里·赫列布宁科夫;伊戈尔·赫列布宁科夫;坚吉兹·巴尔卡什;穆拉特·N.·西兰;赫德森·麦克德·霍布古德;小卡尔文·H.·卡特;维贾伊·巴拉克里什纳;罗伯特·T.·伦纳德;阿德里安·R.·鲍威尔;巴莱里·茨韦特科夫;贾森·R.·珍妮 | 申请（专利权）人： | 科锐有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/36 | 分类号： | H01L21/36 |
| 代理公司： | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 | 代理人： | 景全斌 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种无微管单晶碳化硅(SiC)及其相关制备方法。通过将源材料和晶籽固定器上的晶籽材料放置在升华系统的反应坩埚中生长SiC，其中包括至少所述源材料、所述晶籽固定器、以及所述反应坩埚的所述升华系统的构成组件基本无有害杂质。在PVT工艺期间，控制生长温度、生长压强、SiC升华通量和组分、以及所述源材料与所述晶籽材料或生长在所述晶籽材料上的SiC晶体之间的温度梯度，消除诱发微管的工艺不稳定性、并且在所述晶籽材料上生长无微管SiC晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 微管 碳化硅 及其 相关 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在升华系统中利用物理气相传输(PVT)工艺沿名义上的c轴生长方向生长碳化硅(SiC晶体)的方法，其中，所述晶体完全无微管缺陷，所述方法包括：将晶籽材料连接于晶籽固定器，并在所述晶籽材料和所述晶籽固定器之间形成均匀热接触；将源材料和连接于所述晶籽固定器的晶籽材料放置在反应坩埚中，其中包括至少所述源材料、所述晶籽固定器、以及所述反应坩埚的所述升华系统的构成组件基本无有害杂质；以及在PVT工艺期间，控制生长温度、生长压强、SiC升华通量和组分、以及所述源材料与所述晶籽材料或生长在所述晶籽材料上的SiC晶体之间的温度梯度，从而消除诱发微管的工艺不稳定性、并且在所述晶籽材料上生长无微管SiC晶体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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