[发明专利]膜形成组合物有效
| 申请号： | 200780024402.3 | 申请日： | 2007-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101479833A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 森田敏郎 | 申请（专利权）人： | 东京应化工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;C09D171/02;C09D183/00;H01L21/312 |
| 代理公司： | 深圳创友专利商标代理有限公司 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种膜组合物，其是用于涂布扩散法的膜形成组合物，能够将更高浓度的杂质扩散到硅片中，而且能够同时形成二氧化硅类被膜。本发明涉及一种膜形成组合物，其是构成扩散膜的膜形成组合物，该扩散膜形成在硅片上，用来使杂质元素扩散到该硅片中，该膜形成组合物含有(A)高分子硅化合物、(B)上述杂质元素的氧化物或含该杂质元素的盐、以及(C)成孔剂。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 组合 | ||
【主权项】：
1. 一种膜形成组合物，其是构成扩散膜的膜形成组合物，所述扩散膜是用来使杂质元素扩散到硅片中，所述膜形成组合物含有：(A)高分子硅化合物、(B)所述杂质元素的氧化物或含所述杂质元素的盐、以及(C)成孔剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
