[发明专利]用于制造具有不同掺杂浓度的区域的半导体元件的方法有效

申请号：	200780004647.X	申请日：	2007-01-19
公开（公告）号：	CN101379595A	公开（公告）日：	2009-03-04
发明（设计）人：	彼得·法斯;艾哈尔·米尔因克	申请（专利权）人：	GP太阳能有限公司
主分类号：	H01L21/225	分类号：	H01L21/225;H01L27/142;H01L31/0224
代理公司：	北京中原华和知识产权代理有限责任公司	代理人：	寿宁
地址：	德国康***	国省代码：	德国;DE
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摘要：	用于制造具有不同掺杂浓度的区域(70、72；120、122)的半导体元件(74；140)特别是太阳能电池(140)的方法，包括：在半导体元件材料(50；100)表面(56；106)上形成(2；14)阻挡一种掺杂物的扩散并在至少一个部分可被一种掺杂物渗透的层(58；108)；在至少一个高掺杂区域(62；112a、112b)内至少部分地除去扩散阻挡层(58；108)；在扩散阻挡层(58；108)上和在至少一个高掺杂区域(62；112a、112b)内形成掺杂物源(66；116)；将来自掺杂物源(66；116)的掺杂物扩散(8；20)到半导体元件材料(50；100)中。本发明还涉及该半导体元件(74；140)在集成电路、电路、太阳能电池模块以及具有选择性发射板结构的太阳能电池(140)方面的应用。
搜索关键词：	用于制造具有不同掺杂浓度区域半导体元件方法
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【主权项】：

1.一种用于制造具有不同掺杂浓度区域(70、72)的半导体元件(74；140)的方法，所述方法包括下述方法步骤:在半导体元件材料(50；100)的表面的至少一个部分(56；106)上形成(2；14)阻挡一种掺杂物的扩散并可被一种掺杂物渗透的层(58；108)的方法步骤；在至少一个高掺杂区域(62；112a、112b)内至少部分地除去(4；16a、16b)所述扩散阻挡层(58；108)的方法步骤；在所述扩散阻挡层(58；108)上和在所述至少一个高掺杂区域(62；112a、112b)内形成(6；18)一个掺杂物源(66；116)的方法步骤；将来自所述掺杂物源(66；116)的掺杂物扩散(8；20)到所述半导体元件材料(50；100)中的方法步骤。

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