[发明专利]用于制造具有不同掺杂浓度的区域的半导体元件的方法

权利要求书

1.一种用于制造具有不同掺杂浓度的区域(70，72；120，122)的半导体元件(74；140)的方法，所述方法包括以下步骤：

在半导体元件材料(50；100)的表面的至少一个部分(56；106)上形成(2；14)扩散阻挡层(58；108)，该层(58；108)阻挡一种掺杂物的扩散并可被所述掺杂物渗透；

在至少一个将要形成高掺杂区域的区域(62；112a、112b)内至少部分地除去(4；16a、16b)所述扩散阻挡层(58；108)；

在所述扩散阻挡层(58；108)上和所述至少一个将要形成高掺杂区域的区域(62；112a、112b)内形成(6；18)一个掺杂物源(66；116)；

使来自所述掺杂物源(66；116)的所述掺杂物扩散(8；20)到所述半导体元件材料(50；100)中，形成所述具有不同掺杂浓度的区域(70，72；120，122)，

其特征在于：所述扩散阻挡层(108)为多孔层(108)，所述多孔层(108)的厚度小于200nm。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述多孔层(108)由半导体元件材料(100)构成。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述多孔层(108)的厚度小于200nm，且其厚度处于80到120nm的范围内。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于：为了由半导体元件材料(100)形成所述多孔层(108)，至少所述半导体元件材料的表面的所述至少一个部分(106)被暴露于蚀刻溶液。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述蚀刻溶液包括氢氟酸(HF)、硝酸(HNO₃)和水(H₂O)，且HF∶HNO₃∶H₂O的混合比处于100∶[1至2]∶[5至10]的范围内。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：为了由半导体元件材料(100)形成所述多孔层(108)，至少所述半导体元件材料的表面的所述至少一个部分(106)被暴露于蚀刻等离子。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：在所述至少一个将要形成高掺杂区域的区域(62；112a、112b)内借助烧蚀激光(110)至少部分地除去(4；16a、16b)所述扩散阻挡层(58；108)，是借助倍频或者三倍频的烧蚀激光器所产生的光。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：在所述至少一个将要形成高掺杂区域的区域(62；112a、112b)内借助蚀刻糊至少部分地除去(4；16b)所述扩散阻挡层(58；108)，是借助包含氢氟酸的糊。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述蚀刻糊借助印刷或喷射模塑技术而被加到所述至少一个将要形成高掺杂区域的区域(62；112a、112b)，是借助筛网印刷法、凸版印刷法、喷射印刷法或者卷筒印刷法。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：在掺杂物从所述掺杂物源(66；116)扩散(8；20)到所述半导体元件材料(50；100)的表面的所述至少一个部分(56；106)内之后，所述掺杂物源(66；116)将连同所述扩散阻挡层(58；108)一同被除去。

11.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述半导体元件具有太阳能电池(140)的形式，其中为指形触头的一些金属触头(126)被设置在高掺杂区域(112a、112b)内。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于：所述太阳能电池的正面和背面都设有高掺杂区域(112a、112b)。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于：所述掺杂物源(66；116)由磷玻璃(116)构成，多孔太阳能电池材料(108)被用作扩散阻挡层(58；108)，且所述磷玻璃(116)连同该层多孔太阳能电池材料(108)一起通过蚀刻溶液或者等离子的刻蚀而被除去。

14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于：所述高掺杂区域(62；112a、112b)比随后在这些区域内施加的金属层(126)范围更大。

15.根据权利要求11所述的方法，其特征在于：制造了具有选择性发射极结构(118)的太阳能电池(140)。