[发明专利]盖革式雪崩光电二极管有效
| 申请号： | 200780004329.3 | 申请日： | 2007-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN101379615A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | P·阿加瓦尔;J·桑斯基;L·J·考皮南 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L31/107 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李静岚;谭祐祥 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 利用绝缘硅晶圆和衬底转移处理来制造雪崩式光电二极管阵列(102)。该阵列包括多个光电二极管(100)。该光电二极管(100)包括电绝缘层(206)、耗尽区(204)、以及第一(208)和第二(210)掺杂区。互连层(212)包括用于提供与光电二极管的电连接的电极(214，216)。光电二极管阵列(102)由操作晶圆(217)承载。 | ||
| 搜索关键词： | 盖革式 雪崩 光电二极管 | ||
【主权项】：
1、一种雪崩光电二极管包括:半导体耗尽区(204)；阳极(208，210)；以及阴极(208，210)其中具有处于可见光谱蓝端中的波长的入射光子在所述耗尽区中被吸收以便生成电荷载流子，并且其中所述电荷载流子在所述耗尽区中受到碰撞电离以便在所述光电二极管中生成雪崩电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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