[发明专利]半导体发光设备有效
| 申请号： | 200780002919.2 | 申请日： | 2007-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101375417A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 邱国安;黄燕;禇宏深 | 申请（专利权）人： | 香港应用科技研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳创友专利商标代理有限公司 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国香港新界沙田香港科*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 一种半导体发光设备(100)包括一个多层材料叠层(101)，其包括一个p掺杂材料层(105)、一个n掺杂材料层(107)以及其间的一个光产生区(109)；在光产生区(109)和设备外部之间的第一导热路径；以及比第一导热路径具有更高导热性的第二导热路径。第二导热路径用来提供从光产生区(109)到外部的增强散热。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光设备，包括：一个多层材料叠层，包括一个p掺杂材料层、一个n掺杂材料层、以及其间的一个光产生区；在光产生区和设备外部之间的第一导热路径；和比第一导热路径具有更高导热性的第二导热路径，所述第二导热路径用来提供从光产生区到外部的增强散热。
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