[实用新型]ZnO基透明场效应晶体管无效
| 申请号： | 200720106009.6 | 申请日： | 2007-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN201038164Y | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;卢洋藩;朱群英 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/24 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开的ZnO基透明场效应晶体管，包括衬底、沟道、源极、漏极、栅绝缘层、栅极和接触电极，其特征是沟道层为p－ZnO薄膜，源极和漏极是掺杂浓度为1019～1021cm－3的n－ZnO薄膜。该场效应晶体管采用透明的ZnO材料作场效应晶体管的沟道层和源、漏极，避免了Si薄膜晶体管中光电子漏电流对其工作状态的影响，增加了器件的灵敏度，并且能同时工作在光学和电学模式下。ZnO薄膜的载流子迁移率比其他目前已经知道对可见光透明的半导体材料要大得多，并且具有耐高温、抗辐射性强等优点，使该场效应晶体管可以适用于高温，强辐射的环境。 | ||
| 搜索关键词： | zno 透明 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.ZnO基透明场效应晶体管，包括衬底(1)、沟道(2)、源极(4)、漏极(5)、栅绝缘层(3)、栅极(6)和接触电极(7)，其特征是沟道层(2)为p-ZnO薄膜，源极(4)和漏极(5)是掺杂浓度为1019～1021cm-3的n-ZnO薄膜。
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