[实用新型]ZnO基透明场效应晶体管无效
| 申请号： | 200720106009.6 | 申请日： | 2007-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN201038164Y | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;卢洋藩;朱群英 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/24 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | zno 透明 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.ZnO基透明场效应晶体管，包括衬底(1)、沟道(2)、源极(4)、漏极(5)、栅绝缘层(3)、栅极(6)和接触电极(7)，其特征是沟道层(2)为p-ZnO薄膜，源极(4)和漏极(5)是掺杂浓度为1019～1021cm-3的n-ZnO薄膜。
2.按权利要求1所述的ZnO基透明场效应晶体管，其特征是所说的衬底(1)为透明绝缘的玻璃或者蓝宝石。
3.按权利要求1所述的ZnO基透明场效应晶体管，其特征是所说的栅绝缘层(3)为SiO2或Si3N4。
4.按权利要求1所述的ZnO基透明场效应晶体管，其特征是所说的接触电极(7)选用Al、In或Ti/Al合金。
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