[实用新型]开放式电子束蒸发源无效
| 申请号： | 200720081574.1 | 申请日： | 2007-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN201102982Y | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 薛尚清;张博;赵玉清;朱克志;魏杨;谢亮 | 申请（专利权）人： | 成都南光机器有限公司西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30 |
| 代理公司： | 成都立信专利事务所有限公司 | 代理人： | 江晓萍 |
| 地址： | 610100四川省成都市经济技*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种用于镀膜生产中的开放式电子束蒸发源，包括水冷底板，装在水冷底板上的水冷枪体，装在水冷枪体上的扫描线圈组件，位于扫描线圈组件空间中且装在水冷底板上的带阴极灯丝的电子枪发射体，位于电子枪发射体相邻处装在水冷底板上的永磁钢、分流板，装在水冷枪体上的至少三级通过永磁场产生洛伦兹力使自由电子偏转至少270度的磁极。聚焦效果好，磁场强度稳定，束斑形状好。 | ||
| 搜索关键词： | 开放式 电子束 蒸发 | ||
【主权项】：
1、开放式电子束蒸发源，其特征在于包括水冷底板，装在水冷底板上的水冷枪体，装在水冷枪体上的扫描线圈组件，位于扫描线圈组件空间中且装在水冷底板上的带阴极灯丝的电子枪发射体，位于电子枪发射体相邻处装在水冷底板上的永磁钢、分流板，装在水冷枪体上的至少三级通过永磁场产生洛伦兹力使自由电子偏转至少270度的磁极。
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