[发明专利]ZnO二极管及其形成方法无效
| 申请号： | 200710307771.5 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101202314A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 姜东勋;宋利宪;金昌桢;朴永洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/872;H01L29/12;H01L29/43;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种ZnO型二极管及其形成方法。该ZnO型二极管可包括彼此分开的第一电极和第二电极、以及位于该第一电极和第二电极之间的由MXIn1－XZnO(所述M为第Ⅲ族金属)形成的有源层。该第一电极的功函数可低于该有源层的功函数。该第二电极的功函数可高于该有源层的功函数。 | ||
| 搜索关键词： | zno 二极管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种ZnO型二极管，包括：彼此分开的第一电极和第二电极；和位于第一电极和第二电极之间的有源层，所述有源层由MXIn1-XZnO形成，其中，M为第III族金属，其中，该第一电极的功函数低于该有源层的功函数，且该第二电极的功函数高于该有源层的功函数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710307771.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
