[发明专利]相变化存储器的制造方法无效
| 申请号： | 200710305563.1 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101471422A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 俞笃豪 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L21/82;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种相变化存储器的制造方法，包含提供具有电极的基底；依序形成导电层及第一介电层于该基底上，其中该导电层与该电极电性连接；形成图形化光刻胶层于该第一介电层上；对该图形化光刻胶层进行微削工艺，以形成光刻胶柱；以该光刻胶柱作为蚀刻掩模，对该第一介电层进行蚀刻，以形成介电柱；顺应性形成第一相变化材料层于该导电层及该介电柱上，以使该介电柱的上表面及侧面皆被该第一相变化材料层所覆盖；形成第二介电层以覆盖该第一相变化材料层；对该第二介电层及该第一相变化材料层进行平坦化处理，至露出该介电柱的上表面为止；以及形成第二相变化材料层于该第二介电层上，其中该第二相变化材料层与该第一相变化材料层电性接触。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种相变化存储器的工艺方法，包括：提供具有电极的基底；依序形成导电层及第一介电层于该基底上，其中该导电层与该电极电性连接；形成图形化光刻胶层于该第一介电层上；对该图形化光刻胶层进行微削工艺，以形成光刻胶柱；以该光刻胶柱作为蚀刻掩模，对该第一介电层进行蚀刻，以形成介电柱；顺应性形成第一相变化材料层于该导电层及该介电柱上，以使该介电柱的上表面及侧面皆被该第一相变化材料层所覆盖；形成第二介电层以覆盖该第一相变化材料层；对该第二介电层及该第一相变化材料层进行平坦化处理，至露出该介电柱的上表面为止；以及形成第二相变化材料层于该第二介电层上，其中该第二相变化材料层与该第一相变化材料层电性接触。
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