[发明专利]噻吩电子器件无效
| 申请号： | 200710199559.1 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101207182A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | P·刘;B·S·翁;Y·吴;Y·李;H·潘 | 申请（专利权）人： | 施乐公司 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/05;H01L51/30;C07D495/00;C07D333/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 段晓玲;韦欣华 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子器件，例如薄膜晶体管，含有右边化学式/结构式(I)的半导体，其中各R′独立地为氢和合适的烃的至少一种；Ar为芳基，包括取代基；和M表示至少一种基于噻吩的共轭链段。 | ||
| 搜索关键词： | 噻吩 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件，包括以下化学式/结构式(I)的半导体：![]()
其中各R′独立地为氢和合适的烃的至少一种；Ar为芳基和杂芳基的至少一种；和M表示至少一种基于噻吩的共轭链段。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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