[发明专利]固体摄像装置及其制造方法和照相机有效
申请号: | 200710197170.3 | 申请日: | 2007-12-10 |
公开(公告)号: | CN101197386A | 公开(公告)日: | 2008-06-11 |
发明(设计)人: | 东宫祥哲;田谷圭司;味泽治彦;井上裕士;岩下哲大;加藤英明 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/822;H04N5/225;H04N5/335;H04N9/07 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 马高平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种固体摄像装置及其制造方法和照相机。所述固体摄像装置,即使设有光波导,也可以利用更简单的工序制造。所述固体摄像装置,在成为半导体衬底(10)的受光面的像素区域(RPX)形成有被每个像素划分的光电二极管(PD)和读取在光电二极管(PD)上生成并存储的信号电荷或根据信号电荷产生的电压的信号读取部;覆盖光电二极管且在半导体衬底上形成有绝缘膜(15~17,20~22,25~27,30,31,33);在光电二极管的上方部分,在绝缘膜上形成有凹部(H);在焊盘电极区域(RPAD),在绝缘膜上层形成有焊盘电极(32);覆盖凹部内壁且在比焊盘电极更上层形成有高折射率的钝化膜(36);在钝化膜上层埋入凹部而形成有高折射率的埋入层(37)。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 及其 制造 方法 照相机 | ||
【主权项】:
1.一种固体摄像装置,其是在受光面集成多个像素而构成的固体摄像装置,其特征在于,具有:光电二极管,其在成为半导体衬底的所述受光面的像素区域被每个所述像素划分形成;信号读取部,其在所述半导体衬底上形成,并且读取在所述光电二极管上生成并存储的信号电荷或根据所述信号电荷产生的电压;绝缘膜,其覆盖所述光电二极管且形成于所述半导体衬底之上;凹部,其在所述光电二极管的上方部分形成于所述绝缘膜;焊盘电极,其在焊盘电极区域形成于所述绝缘膜上层;钝化膜,其覆盖所述凹部的内壁且在比所述焊盘电极更上层形成,并且具有比氧化硅高的折射率;以及埋入层,其在所述钝化膜的上层埋入于所述凹部形成,并且具有比氧化硅高的折射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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