[发明专利]固体摄像装置及其制造方法和照相机有效

专利信息
申请号: 200710197170.3 申请日: 2007-12-10
公开(公告)号: CN101197386A 公开(公告)日: 2008-06-11
发明(设计)人: 东宫祥哲;田谷圭司;味泽治彦;井上裕士;岩下哲大;加藤英明 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/822;H04N5/225;H04N5/335;H04N9/07
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 马高平
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种固体摄像装置及其制造方法和照相机。所述固体摄像装置,即使设有光波导,也可以利用更简单的工序制造。所述固体摄像装置,在成为半导体衬底(10)的受光面的像素区域(RPX)形成有被每个像素划分的光电二极管(PD)和读取在光电二极管(PD)上生成并存储的信号电荷或根据信号电荷产生的电压的信号读取部;覆盖光电二极管且在半导体衬底上形成有绝缘膜(15~17,20~22,25~27,30,31,33);在光电二极管的上方部分,在绝缘膜上形成有凹部(H);在焊盘电极区域(RPAD),在绝缘膜上层形成有焊盘电极(32);覆盖凹部内壁且在比焊盘电极更上层形成有高折射率的钝化膜(36);在钝化膜上层埋入凹部而形成有高折射率的埋入层(37)。
搜索关键词: 固体 摄像 装置 及其 制造 方法 照相机
【主权项】:
1.一种固体摄像装置,其是在受光面集成多个像素而构成的固体摄像装置,其特征在于,具有:光电二极管,其在成为半导体衬底的所述受光面的像素区域被每个所述像素划分形成;信号读取部,其在所述半导体衬底上形成,并且读取在所述光电二极管上生成并存储的信号电荷或根据所述信号电荷产生的电压;绝缘膜,其覆盖所述光电二极管且形成于所述半导体衬底之上;凹部,其在所述光电二极管的上方部分形成于所述绝缘膜;焊盘电极,其在焊盘电极区域形成于所述绝缘膜上层;钝化膜,其覆盖所述凹部的内壁且在比所述焊盘电极更上层形成,并且具有比氧化硅高的折射率;以及埋入层,其在所述钝化膜的上层埋入于所述凹部形成,并且具有比氧化硅高的折射率。
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