[发明专利]电荷捕获层及其制造方法和电荷捕获型半导体存储装置有效
| 申请号： | 200710196320.9 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101192532A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 薛光洙;闵耀社;申尚旻 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/288;H01L29/51;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;冯敏 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电荷捕获层、一种制造该电荷捕获层的方法和一种在半导体基底上包括该电荷捕获层的电荷捕获型半导体存储装置。这种制造电荷捕获层的方法包括：(a)在半导体基底的将要沉积的表面上涂覆第一前驱物材料，并将第一前驱物材料氧化，以形成由绝缘材料形成的第一层；(b)在第一层上涂覆由金属特征的材料形成的第二前驱物材料；(c)在涂覆有第二前驱物材料的表面上供应第一前驱物材料，以用第一前驱物材料取代第二前驱物材料的一部分；(d)将在步骤(c)中获得的第一前驱物材料和第二前驱物材料氧化，以形成由绝缘材料和金属杂质形成的第二层。对步骤(a)至步骤(d)执行至少一次，从而形成具有金属杂质被隔离在绝缘材料中的结构的电荷捕获层。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 捕获 及其 制造 方法 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种制造电荷捕获层的方法，包括：(a)在半导体基底的表面上涂覆第一前驱物材料，并将第一前驱物材料氧化，以形成由绝缘材料形成的第一层；(b)在第一层上涂覆第二前驱物材料；(c)在涂覆有第二前驱物材料的表面上供应第一前驱物材料；(d)将第一前驱物材料和第二前驱物材料氧化，以形成包含绝缘材料和金属杂质的第二层，其中，金属杂质被隔离在绝缘材料中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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