[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200710196173.5 | 申请日： | 2007-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101192642A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 新垣实;广畑彻;中嶋和利;菅博文 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L31/08 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置，其具有某一方作为光感应层或发光层而起作用，并以低浓度掺杂p型杂质且异质接合的第一以及第二III－V族化合物半导体层。第二III－V族化合物半导体层的能带宽度小于第一III－V族化合物半导体层的能带宽度。使用Be或C作为各半导体层中的p型掺杂物。这时，第二III－V族化合物半导体层可以层叠在第一III－V族化合物半导体层上。而且，第一III－V族化合物半导体层和第二III－V族化合物半导体层可以含有(In、Ga、Al)和(As、P、N)中的至少各一种以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于：包括：掺杂有p型杂质且互相异质接合的第一III-V族化合物半导体层以及第二III-V族化合物半导体层，所述第一III-V族化合物半导体层或所述第二III-V族化合物半导体层作为光感应层或发光层而起作用，所述第二III-V族化合物半导体层的能带宽度小于所述第一III-V族化合物半导体层的能带宽度，使用铍(Be)或碳(C)作为所述第一III-V族化合物半导体层或所述第二III-V族化合物半导体层中的p型掺杂物。
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