[发明专利]半导体集成电路装置和用于其的薄膜探针片材的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体集成电路装置的制造技术，在使用了具有根据此技术而形成的探针(probe)的探测器(薄膜探针)进行探针测试时，防止探测器及测试对象即晶片破损。在晶片(31)的主面上，在形成有金属膜(21A)的区域(包括孔33)及组装探卡时比接合环更外侧的区域上，选择性地堆积铜膜(37)之后，形成金属膜(21A)、聚酰亚胺膜(22)、配线(23)、聚酰亚胺膜(25)、配线(27)及聚酰亚胺膜(28)等。此后，通过除去晶片(31)及铜膜(37)，而获得可以充分确保高度的探针(7)。

主权项

1.一种半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于其包括以下工序：(a)提供半导体晶片，此半导体晶片具有多个芯片形成区域，并且具有多个电极，此电极将所述多个芯片形成区域分别与半导体集成电路及所述半导体集成电路电气连接；(b)提供按压机构，此按压机构用以使薄膜探针片材及所述薄膜探针片材的所述多个接触端子，与所述半导体晶片的所述多个电极接触，所述薄膜探针片材具有可与所述半导体晶片的所述多个电极接触的多个接触端子；及(c)利用所述按压机构，使所述薄膜探针片材的所述多个接触端子的前端与所述半导体晶片的所述多个电极接触，进行所述半导体集成电路的电气测试；且所述薄膜探针片材包括：绝缘膜，形成在所述多个接触端子上，且具有多个通孔；及多个第一配线，形成在所述绝缘膜上，且经由所述多个通孔而与对应的所述多个接触端子电气连接；所述多个接触端子分别包括：第一金属膜、及在所述第一金属膜上层叠后所形成的第二金属膜，所述第一金属膜包括：朝向所述前端而延伸的斜面部、及从所述斜面部向上延伸的侧面部，所述第二金属膜包括：由所述第一金属膜的所述斜面部与所述侧面部所包围的第一部分、及从所述第一金属膜的所述侧面部向上突出的第二部分，所述绝缘膜以覆盖所述第二绝缘膜的所述第二部分的方式而形成，且在所述多个接触端子间，具有位于所述第一金属膜的所述侧面部上方的背面部，所述多个第一配线经由所述多个通孔而与所述第二金属膜的所述第二部分连接，进行所述电气测试的工序，在确保了由所述半导体晶片与所述绝缘膜的所述背面部所规定的高度的状态下进行。