[发明专利]闪存器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710187538.8 | 申请日： | 2007-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101192577A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 朴真河;金宰熙 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/28;H01L27/115;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种闪存器件，其具有在氧化物－氮化物－氧化物(ONO)结构中形成的栅极区域隔离垫，以及应用ONO结构形成的源极/漏极区域。去除ONO结构中的最外氧化物并形成层间绝缘薄膜，以确保栅极区域之间足够的空间。从而，可以防止层间绝缘薄膜中空隙的产生，并防止字线与漏极触点电连接以形成比特线。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上方形成包括隧道氧化膜、浮栅、介电薄膜以及控制栅的栅极区域；靠着所述栅极区域的侧壁形成具有多层绝缘薄膜结构的隔离垫薄膜；通过在所述隔离垫薄膜上执行整个表面蚀刻形成隔离垫图案；去除沉积在所述隔离垫图案的最外部分的绝缘薄膜；以及，随后在其上形成所述栅极区域和隔离垫的所述半导体衬底上方形成层间绝缘薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
