[发明专利]半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710186339.5 | 申请日： | 2007-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101179179A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 古嶋裕司;今野哲也;藤本强 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云;马高平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种能够精确检测解理位置的半导体发光器件。第二发光器件层叠在第一发光器件上。在与第一基板面对的第二基板的侧上形成的绝缘层上，第二发光器件具有分别与第一发光器件的各p侧电极相对布置且电连接到第一发光器件的p侧电极的带状对向电极、分别电连接到各对向电极的连接垫、电连接到p侧电极的连接垫、和布置有位于解理面S3或解理面S4的平面内的一个端部的标记。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，包括：包括有源层的半导体层；和具有布置在解理面中的端部的第一标记。
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