[发明专利]非易失性存储器装置及其制造方法

摘要

本发明提供了非易失性存储器装置的示例实施例及其制造方法。该非易失性存储器装置可包括：控制栅极，布置在半导体基底上；栅极绝缘层，置于半导体基底和控制栅极之间；存储节点层，置于栅极绝缘层和控制栅极之间；阻挡绝缘层，置于存储节点层和控制栅极之间；第一掺杂剂掺杂区，沿着控制栅极的第一边；第二掺杂剂掺杂区，沿着控制栅极的第二边。第一掺杂剂掺杂区可以与第二掺杂剂掺杂区交替地形成。以不同的形式表述为，第二掺杂剂掺杂区中的每个可布置在控制栅极的第二边上的与第一掺杂剂掺杂区中的一个相邻的区域中。

主权项

1.一种非易失性存储器装置，包括：至少一个第一控制栅极，布置在半导体基底上；栅极绝缘层，置于半导体基底和至少一个第一控制栅极之间；存储节点层，置于栅极绝缘层和至少一个第一控制栅极之间；阻挡绝缘层，置于存储节点层和至少一个第一控制栅极之间；多个第一掺杂剂掺杂区，沿着至少一个第一控制栅极的第一边设置；多个第二掺杂剂掺杂区，沿着至少一个第一控制栅极的第二边设置，其中，所述第二边与所述第一边相对。