[发明专利]一种制备厘米级单层或双层有序单晶石墨层的方法有效
| 申请号： | 200710178791.7 | 申请日： | 2007-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101451269A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 高鸿钧;潘毅;时东霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B23/00;C30B1/02;C30B33/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种厘米级单层或双层有序单晶石墨层的制备方法，该方法以含有微量碳的钌单晶0001面作为衬底，将该衬底经过化学和物理处理后，在不高于1×10-10mbar的真空下，于700-900℃的退火温度下体内杂质碳向钌0001面的偏析过程中形成有序单晶石墨层；通过控制退火温度和时间可以可控的制备单层或双层石墨层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 厘米 单层 双层 有序 晶石 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备厘米级单层或双层有序单晶石墨层的方法，其特征在于：包括步骤：a)采用含微量碳的钌(Ru)单晶(0001)面作为衬底；b)钌(0001)衬底首先顺序在丙酮溶液、乙醇和高纯水中超声清洗，然后在不高于1×10-10mbar超高真空环境下进行氩离子溅射，最后在特定温度下做退火处理得到清洁平整表面；c)利用特定退火温度下体内杂质向表面的偏析过程形成有序单晶石墨层；通过控制退火温度和时间，可控的制备单层或双层石墨层；d)在1×10-7mbar的氧气氛中，700—800℃处理50—100秒，去除石墨层表面无定型碳杂质，提高石墨层的质量。
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