[发明专利]一种可编程非易失性存储单元结构及其设计方法

摘要

本发明公开了一种可编程非易失性存储单元结构，包括：金属层、接触孔、阻挡层和多晶硅，金属层、接触孔、阻挡层和多晶硅依次连接形成电容结构，阻挡层为该电容结构的介质层。同时还公开了一种可编程非易失性存储单元结构的设计方法，包括：将多晶硅淀积在场区氧化层上；将阻挡层淀积覆盖在多晶硅上；淀积金属层；制作接触孔；将金属层、接触孔、阻挡层、多晶硅层依次连接形成电容结构；将所述阻挡层作为该电容结构的介质层。通过本发明为用户提供一套具有存储单元面积小，集成密度高，有利于大规模集成电路应用等优点的可编程非易失性存储单元的设计解决方案。

主权项

1.一种可编程非易失性存储单元结构，其特征在于，包括一个电容结构，所述电容结构由金属层、接触孔、阻挡层和多晶硅依次连接形成；所述阻挡层为该电容结构的介质层。