[发明专利]氮化钛/氧化锌电阻式随机存储器的存储单元及制备方法无效
| 申请号： | 200710176750.4 | 申请日： | 2007-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101162759A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 康晋锋;许诺;刘力锋;孙啸;刘晓彦;韩德栋;王漪;韩汝琦;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/82;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电阻式随机存储器的存储单元及其制备方法，属于微电子半导体技术领域。该存储单元包括衬底和金属－绝缘体－金属(MIM)结构电阻器，MIM结构电阻器的顶电极为氮化钛，绝缘体为氧化锌薄膜。本发明由于采用了氮化钛/氧化锌组合结构，在直流电压连续扫描激励下表现出优异的高低电阻态之间的转变和记忆特性。本发明还进一步提供了上述存储单元的制备方法，该方法包括：选择二氧化硅或硅为衬底材料，利用溅射法在衬底上制备底电极；在底电极上制备氧化锌薄膜；利用溅射法在氧化锌薄膜上制备氮化钛薄膜，利用光刻、刻蚀方法将所述氮化钛薄膜制备出电极图形；最后再利用湿法腐蚀或者干法刻蚀方法在上一步已获得的结构基础上制得器件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 氧化锌 电阻 随机 存储器 存储 单元 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化钛/氧化锌电阻式随机存储器的存储单元，包括：衬底和金属-绝缘体-金属MIM结构电阻器，其特征在于：MIM结构电阻器的顶电极为氮化钛，绝缘体为非化学配比的氧化锌薄膜ZnOx，x的范围是1-2。
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