[发明专利]适用于有源区只读存储器的浅掺杂漏极版图逻辑运算方法有效
| 申请号： | 200710172731.4 | 申请日： | 2007-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101211855A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 何军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L21/265;H01L27/02;H01L27/112;G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种适用于有源区只读存储器的浅掺杂漏极版图逻辑运算方法，首先确定重注入层的边界，得到区域A，然后确定栅极与有源区交迭的金属氧化物半导体管的沟道区域，并将该区域每边涨大a，得到区域B，取其合集，得到区域C，最后在区域C内，进行离子植入，生成LDD。本发明提供的一种适用于有源区只读存储器的浅掺杂漏极版图逻辑运算方法，每次代码变更时，仅需改变ACT，LDD层无需变更，同时保持了较小的版图面积。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 有源 只读存储器 掺杂 版图 逻辑运算 方法 | ||
【主权项】：
1.一种适用于有源区只读存储器的浅掺杂漏极版图逻辑运算方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1、确定重注入层的边界，得到区域A；步骤2、确定栅极与有源区交迭的金属氧化物半导体管的沟道区域；步骤3、将步骤2确定的区域每边涨大a，得到区域B，其中a可以根据具体的制程能力进行调整；步骤4、将步骤1和步骤3分别得到的两个区域A和B，取其合集，得到区域C；步骤5、在步骤4确定的区域C内，进行离子植入，生成浅掺杂漏极LDD。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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