[发明专利]大尺寸CuI晶体的生长方法

摘要

本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种大尺寸CuI晶体的生长方法。本发明采用溶液降温与溶剂蒸发相结合的技术，具有设备简单、价格低廉、生长温度低和生长过程容易调控等优点。晶体外形呈长方体，尺寸达到厘米量级。所生长出的CuI晶体为γ相，其纯度高、缺陷少、形貌好和尺寸大，因而作为新一代超快闪烁体，在超高计数率X－射线、γ射线和电子束测量等方面都有着重要价值，同时还可以用做快离子导体。

主权项

1、一种大尺寸CuI晶体的生长方法，其特征在于具体步骤为：(1)在20～65℃温度下将碘化亚铜粉末溶解于乙腈溶剂中，搅拌4～10分钟，待粉末不再溶解为止，即得到饱和液；每100g乙腈中碘化亚铜加入量为：2.894wt％～7.703wt％；(2)将饱和液过滤，得到过滤液；(3)取步骤(2)所得过滤液倒入生长容器中，封口；接着将生长容器置于-15～15℃的恒温环境下进行降温，静置1～5天，即得到厘米量级的长方体晶体作为籽晶；(4)重复步骤(1)和(2)，将过滤液加入到溶液降温装置的培养缸中，将上部生长区溶液温度设定为溶液饱和温度之上2-5℃，并在该温度下保持24～48小时，然后放入步骤(3)得到的籽晶，进行降温生长，降温速度为1-10℃/天；CuI晶体的生长温度为-15-65℃；待晶体长至所需尺寸时，以2-20℃/天的降温速率降温，即得到本发明所需产品。