[发明专利]CMOS器件及该器件的制造方法

摘要

本发明提供一种CMOS器件的制造方法，该方法包括：在下层衬底之上顺序形成第一硅氧化物薄膜和第一多晶硅薄膜；对所述第一多晶硅薄膜执行离子注入工艺形成多个按照预定间隔在空间上相互分离的下层导体；按照预定间隔，形成多个在空间上相互分离的N型半导体薄膜和P型半导体薄膜并且与所述下层导体接触；形成与所述N型半导体薄膜和P型半导体薄膜电连接的多个上层导体；在该上层导体之上形成上层衬底；在该上层衬底之上形成第二多晶硅薄膜；在该第二多晶硅薄膜中形成器件隔离薄膜和光电二极管；在该第二多晶硅薄膜中形成器件隔离薄膜和光电二极管；在所述第二多晶硅薄膜上方形成含有绝缘侧壁的栅电极；在具有栅电极的外延层上方形成绝缘薄膜；在所述绝缘薄膜上方形成滤色片阵列；在所述滤色片阵列上方形成平坦化层；以及在所述平坦化层上方形成微透镜。

主权项

1.一种装置，包括：形成于下层衬底之上的冷却元件；以及形成于所述冷却元件之上的图像传感器。