[发明专利]CMOS器件及该器件的制造方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

形成于下层衬底之上的冷却元件；以及

形成于所述冷却元件之上的图像传感器。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述下层衬底由散热片和多晶硅薄膜形成。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述下层衬底由多晶硅薄膜形成。

4.根据权利要求1所述的CMOS器件，其特征在于，所述冷却元件包含：

在所述下层衬底上方形成的第一层间绝缘薄膜；

在所述第一层间绝缘薄膜之上的第一硅绝缘薄膜中的多个下层导体；

所述第一硅绝缘薄膜之上的第二硅绝缘薄膜中的多个N型半导体薄膜和P型半导体薄膜使得与所述多个下层导体接触；

在所述第二硅绝缘薄膜上方连续形成的多个上层导体，并且该多个上层导体电连接到所述N型半导体薄膜和P型半导体薄膜；以及

在所述下层衬底整个表面上方形成的上层衬底。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述多个下层导体按照预定的间隔以空间分离模式排列以及多个N型半导体薄膜和P型半导体薄膜按照预定的间隔以空间分离模式排列。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述下层导体包括N型半导体薄膜或铝薄膜。

7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述下层导体包括铝薄膜。

8.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述上层导体由P型半导体薄膜或N型半导体薄膜形成。

9.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述上层导体是由N型半导体薄膜形成。

10.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述上层衬底是由硅氧化物薄膜形成。

11.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述图像传感器包含：

形成于所述上层衬底之上的多晶硅薄膜中的器件隔离薄膜；

形成于所述上层衬底之上的多晶硅薄膜中的光电二极管；

形成于所述多晶硅薄膜上方的含有绝缘侧壁的栅电极；

形成于含有栅电极的所述下层衬底的整个表面上方的第二绝缘薄膜；

形成于所述第二绝缘薄膜上方的与光电二极管对应的滤色片阵列；

形成于所述含有滤色片阵列的下层衬底上方的平坦化层；以及

形成于所述平坦化层上方的与滤色片阵列对应的微透镜。

12.一种方法，包含：

在下层衬底上方顺序形成第一硅氧化物薄膜和第一多晶硅薄膜；

在所述第一硅氧化物薄膜之上执行离子注入工艺来形成多个按照预定间隔在空间上相互分离的下层导体；

形成多个按照预定间隔在空间上相互分离的N型半导体薄膜和P型半导体薄膜，其中所述多个N型半导体薄膜和P型半导体薄膜与所述多个下层导体接触；

形成与N型半导体薄膜和P型半导体薄膜电连接的多个上层导体；

在所述上层导体上方形成上层衬底；

在所述上层衬底上方形成第二多晶硅薄膜；

在所述第二多晶硅薄膜中形成器件隔离薄膜和光电二极管；

在所述第二多晶硅薄膜上方形成含有绝缘侧壁的栅电极；

与栅电极在外延层上方形成绝缘薄膜；

在所述绝缘薄膜上方形成滤色片阵列；

在所述滤色片阵列上方形成平坦化层；以及随后

在所述平坦化层上方形成微透镜。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述下层衬底由散热片或多晶硅薄膜形成。

14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述下层衬底由多晶硅薄膜形成。

15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述下层导体包含N型半导体薄膜或铝薄膜。

16.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述下层导体包含铝薄膜。

17.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述上层导体是由P型半导体薄膜或N型半导体薄膜形成。

18.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述上层导体是由N型半导体薄膜形成。