[发明专利]快闪存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710168191.2 | 申请日： | 2007-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101211857A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 金东郁 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种快闪存储器件及其制造方法。可以在衬底上形成器件隔离层、隧道氧化物膜和浮置栅极。可以在衬底上形成氧化物－氮化物－氧化物(ONO)层，并可以在所述ONO层上形成控制栅极。可以在所述控制栅极的侧壁上由高温氧化物膜和氮化物膜形成隔离物。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造快闪存储器件的方法，包括：在衬底上形成器件隔离层；在所述衬底上形成隧道氧化物膜和浮置栅极；在所述衬底上形成氧化物-氮化物-氧化物(ONO)层；在所述ONO层上形成控制栅极；在所述衬底和所述控制栅极上形成高温氧化物膜；在所述高温氧化物膜上形成氮化物膜；和通过蚀刻所述高温氧化物膜和所述氮化物膜形成隔离物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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