[发明专利]半导体器件的竖直浮体单元及其制造方法无效
| 申请号： | 200710163247.5 | 申请日： | 2007-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101355085A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 郑星雄 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/8242;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;张天舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件，该半导体器件包括形成于半导体基板上的管型通道。所述管型通道与第一导线和第二导线连接。偏压电极形成于所述管型通道中。所述偏压电极与所述半导体基板连接。绝缘膜设置在所述管型通道和所述偏压电极之间。围绕型栅电极形成于所述管型通道上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 竖直 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有浮体单元结构的半导体器件，所述半导体器件包括：管型通道，其形成于半导体基板上并与第一导线和第二导线连接；偏压电极，其形成于所述管型通道中并与所述半导体基板连接；绝缘膜，其位于所述管型通道和所述偏压电极之间；以及围绕型栅电极，其形成于所述管型通道上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
