[发明专利]包含梯度晶格匹配层的外延铁电性磁记录结构无效
| 申请号： | 200710162931.1 | 申请日： | 2007-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101154409A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | T·F·艾姆布洛斯;J·W·安纳;张凯杰;M·纳斯鲁;R·赫姆斯戴德;M·卢特韦奇 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B9/02 | 分类号： | G11B9/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 郭辉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 揭示了一种具有梯度晶格匹配层的外延铁电性磁记录结构。使用单晶材料如Si作为基片材料，在其上沉积梯度晶格匹配层。晶格匹配层可以包含金属和金属合金，或者可以包含掺杂了选定元素的氧化物或者在不同氧压下沉积的氧化物。在梯度晶格匹配层上沉积记录层，如铁电性钛酸铅锆或者磁性Fe/P多层结构。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 梯度 晶格 匹配 外延 铁电性磁 记录 结构 | ||
【主权项】：
1.一种外延记录结构，该结构包括：具有晶格常数的单晶基片；沉积在该基片上的种子层，其晶格常数与基片的晶格常数基本上匹配；沉积在该种子层上的梯度晶格匹配层，包含最下层晶格匹配层和最上层晶格匹配层；沉积在梯度晶格匹配层上且具有晶格常数的记录层，其中，最下层晶格匹配层的晶格常数与种子层的晶格常数基本上匹配，最上层晶格匹配层的晶格常数与记录层的晶格常数基本上匹配。
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