[发明专利]提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法无效
| 申请号： | 200810086943.5 | 申请日： | 2008-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101359493A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 全大暎;闵桐基;高亨守;洪承范 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11B9/02 | 分类号： | G11B9/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;刘奕晴 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法。该存储设备包括：铁电记录介质；电场传感器，包括源区、漏区和电阻区，所述电阻区将源区电连接到漏区并具有电阻，所述电阻根据由铁电记录介质的电畴的极化电压引起的电场的强度而变化；电压施加单元，在源区和漏区之间施加电压；再现信号检测单元，包括至少一个负电阻器，所述至少一个负电阻器安装在将漏区连接到电压施加单元的电路中，用于检测漏区和所述至少一个负电阻器之间的电压的变化。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 电场 传感器 灵敏度 方法 存储 设备 再现 | ||
【主权项】：
1、一种提高电场传感器的灵敏度的方法，该电场传感器包括源区、漏区和将源区电连接到漏区的电阻区，该电阻区具有根据电场的强度而变化的电阻，该方法通过检测流过电阻区的漏电流的变化来检测电场的变化，检测漏电流的变化的步骤包括：使漏电流流过至少一个负电阻器；检测漏区和所述至少一个负电阻器之间的电压的变化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810086943.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 铁电体记录介质及铁电体存储装置-202111609708.3
- 柳泽正明 - 昭和电工株式会社
- 2021-12-27 - 2022-07-01 - G11B9/02
- 本发明的课题在于提供一种铁电体记录介质，其能够将以高记录密度存储于铁电体记录介质的信息高速地读入，能够单位存储容量中的小型化且抑制能量消耗量的增大。本发明涉及的铁电体记录介质为在基板上，依次具备电极层、铁电体记录层、保护层的铁电体记录介质，上述铁电体记录层包含铁电体层，构成上述铁电体层的材料所具有的晶格常数与构成上述电极层或上述基板的材料所具有的晶格常数在±10％的范围内被晶格匹配。
- 具有横向尺寸改变吸收缓冲层的铁电存储单元及其制造方法-201180071905.2
- C·卡尔松;欧勒·乔尼·哈格尔;雅各布·尼尔森;P·布罗姆斯 - 薄膜电子有限公司
- 2011-06-27 - 2017-03-15 - G11B9/02
- 铁电存储单元（1）和包括一个或多个这样的单元（1）的存储设备（100）。铁电存储单元包括布置在柔性衬底（3）上的层的堆叠（4）。所述堆叠包括电活性部分（4a）和用以保护电活性部分免于划伤和磨损的保护层（11）。所述电活性部分包括底部电极层（5）和顶部电极层（9）以及位于所述电极之间的至少一个铁电存储材料层（7）。该堆叠还包括布置在顶部电极层（9）和保护层（11）之间的缓冲层（13）。缓冲层（13）适于至少部分地吸收发生在保护层（11）内的横向尺寸改变（ΔL）并且因此防止所述尺寸改变（ΔL）转移到电活性部分（4a），因此减少了发生在电极之间的短路风险。
- 具有横向尺寸改变吸收缓冲层的电子部件及其生产方法-201280031644.6
- C·卡尔松;欧勒·乔尼·哈格尔;雅各布·尼尔森;P·布罗姆斯 - 薄膜电子有限公司
- 2012-06-21 - 2016-11-02 - G11B9/02
- 电子部件（1）和包括一个或多个这样的部件（1）的电子设备（100）。电子部件（1）包括布置在柔性衬底（3）上的层的堆叠（4）。所述堆叠包括电活性部分（4a）和用以保护电活性部分免于划伤和磨损的保护层（11）。所述电活性部分包括底部电极层（5）和顶部电极层（9）以及位于所述电极之间的至少一个绝缘或半绝缘层（7）。该堆叠还包括布置在顶部电极层（9）和保护层（11）之间的缓冲层（13）。缓冲层（13）适于至少部分地吸收发生在保护层（11）内的横向尺寸改变（ΔL）并且因此防止所述尺寸改变（ΔL）转移到电活性部分（4a），因此减少了发生在电极之间的短路风险。
- 提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法-201210194943.3
- 全大暎;闵桐基;高亨守;洪承范 - 三星电子株式会社
- 2008-03-28 - 2012-10-31 - G11B9/02
- 本发明提供一种提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法。该存储设备包括：铁电记录介质；电场传感器，包括源区、漏区和电阻区，所述电阻区将源区电连接到漏区并具有电阻，所述电阻根据由铁电记录介质的电畴的极化电压引起的电场的强度而变化；电压施加单元，在源区和漏区之间施加电压；再现信号检测单元，包括至少一个负电阻器，所述至少一个负电阻器安装在将漏区连接到电压施加单元的电路中，用于检测漏区和所述至少一个负电阻器之间的电压的变化。
- 多铁性存储介质-200910128352.4
- F·扎瓦利彻;赵彤;P·G·皮彻;M·A·西格勒 - 希捷科技有限公司
- 2009-03-30 - 2010-08-04 - G11B9/02
- 一种数据存储介质包括多铁性薄膜和在该多铁性薄膜中形成的铁磁存储畴。多铁性薄膜可由BiFeO3、或任意其它铁电和反铁磁材料中的至少一种构成。铁磁存储畴可通过离子注入工艺在多铁性薄膜中形成。还提供了一种包括该数据存储介质的数据存储系统。
- 铁电记录载体、其制造方法和包含该铁电记录载体的微尖记录系统-200810174784.4
- 萨尔格·吉登 - 原子能委员会
- 2008-11-05 - 2009-05-13 - G11B9/02
- 本发明涉及具有铁电存储层的数据记录载体、其制造方法和包含该数据记录载体的记录系统。本发明特别应用于需要高存储容量的计算机应用或多媒体应用。本发明的数据记录载体(1)包括衬底(2)、在所述衬底上沉积而成并与用于读取和/或写入数据的设备的电极配合工作的反电极(3)和至少能够存储数据并具有与所述反电极紧密接触的第一面(4a)的一个铁电存储层(4)。根据本发明，所述反电极由含碳材料组成的物质制成，该含碳材料选自石墨形态的碳、非晶金刚石形态的碳、除离子碳化物之外的金属或非金属碳化物及其混合物。
- 提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法-200810086943.5
- 全大暎;闵桐基;高亨守;洪承范 - 三星电子株式会社
- 2008-03-28 - 2009-02-04 - G11B9/02
- 提供一种提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法。该存储设备包括：铁电记录介质；电场传感器，包括源区、漏区和电阻区，所述电阻区将源区电连接到漏区并具有电阻，所述电阻根据由铁电记录介质的电畴的极化电压引起的电场的强度而变化；电压施加单元，在源区和漏区之间施加电压；再现信号检测单元，包括至少一个负电阻器，所述至少一个负电阻器安装在将漏区连接到电压施加单元的电路中，用于检测漏区和所述至少一个负电阻器之间的电压的变化。
- 铁电信息存储介质及其制造方法-200810142887.2
- 西蒙·比尔曼;张银珠;田信爱;洪承范;金容宽 - 三星电子株式会社
- 2008-02-22 - 2008-12-10 - G11B9/02
- 提供一种具有铁电纳米点的铁电信息存储介质和一种制造该铁电信息存储介质的方法。该铁电信息存储介质包括衬底，形成在衬底上的电极，以及形成在电极上的铁电纳米点，其中铁电纳米点彼此相互分离，并且多个铁电纳米点形成单个位区。
- 铁电薄膜的制造方法以及铁电记录介质的制造方法-200710101992.7
- 西蒙·比尔曼;洪承范 - 三星电子株式会社
- 2007-04-27 - 2008-08-20 - G11B9/02
- 提供了一种具有良好结晶度、改善的表面粗糙度和高密度数据存储容量的铁电薄膜及其制造方法，以及包括该铁电薄膜的铁电记录介质的制造方法。所述铁电薄膜的制造方法包括：在衬底上形成非晶TiO2层；在所述非晶TiO2层上形成PbO(g)气氛；以及在400至800℃的温度下使所述TiO2层与PbO(g)反应从而在衬底上形成具有1至20nm的纳米晶粒结构的PbTiO3铁电薄膜。
- 包含梯度晶格匹配层的外延铁电性磁记录结构-200710162931.1
- T·F·艾姆布洛斯;J·W·安纳;张凯杰;M·纳斯鲁;R·赫姆斯戴德;M·卢特韦奇 - 希捷科技有限公司
- 2007-09-24 - 2008-04-02 - G11B9/02
- 揭示了一种具有梯度晶格匹配层的外延铁电性磁记录结构。使用单晶材料如Si作为基片材料，在其上沉积梯度晶格匹配层。晶格匹配层可以包含金属和金属合金，或者可以包含掺杂了选定元素的氧化物或者在不同氧压下沉积的氧化物。在梯度晶格匹配层上沉积记录层，如铁电性钛酸铅锆或者磁性Fe/P多层结构。
- 使用多重铁性记录介质的电场辅助写入-200710139868.X
- M·A·希尔格勒 - 希捷科技有限公司
- 2007-07-24 - 2008-01-30 - G11B9/02
- 一种设备包括：包括压电材料和铁磁材料的数据存储介质、用于向该数据存储介质的一部分施加电场的电场源、以及用于向数据存储介质的该部分施加磁场的写入极。也提供了由该装置执行的方法。
- 信息介质以及使用其的写入和再现信息的设备和方法-200610160367.5
- 南润宇;闵桐基 - 三星电子株式会社
- 2006-11-15 - 2007-08-29 - G11B9/02
- 本发明提供了一种使用半导体探针再现信息的方法和设备。该设备包括：存储介质，包括铁电记录层，其中通过排列极化畴的极化方向来存储信息，和形成于铁电记录层上的物理记录层，通过形成凹点来在其上写入信息；产生复合信号的半导体探针，复合信号包括由存储介质的铁电记录层的电场变化产生的电场信号和由于物理记录层的形状变化引起的温度变化产生的热信号；信号探测器，探测由半导体探针产生的复合信号；解调器，解调由信号探测器探测的复合信号且从复合信息提取电场信号和热信号。通过调制将由场变化产生的信号和由热变化产生的信号彼此分离且探测了有效的信息信号，从而改善了信噪比，即使在存在热噪声的情况下也可以稳定地再现信息信号。
- 用于铁电记录介质的信息重放装置-200580012052.X
- 长康雄;尾上笃 - 日本先锋公司;长康雄
- 2005-04-08 - 2007-05-02 - G11B9/02
- 谐振电路(17)由记录介质(1)的铁电层(2)的电容器Cs和谐振器(14)构成。由谐振电路将铁电层(2)的电容器Cs的变化转换成振荡信号的频率。使用诸如SAW谐振器的具有高Q的谐振元件作为谐振器(14)。
- 数据记录/重放装置、数据记录/重放方法以及记录介质-200480023849.5
- 前田孝则;尾上笃 - 日本先锋公司
- 2004-07-29 - 2006-09-27 - G11B9/02
- 一种数据记录/重放装置，其中，在记录介质(70)的记录区域(75)中部分形成有位置控制区域(76A)，并仅在位置控制区域(76A)中记录有位置信息。为了使用具有多个悬臂(62A)、(62B)、...的头(60)将数据记录在记录介质(70)中，使用与位置控制区域(76A)对应的悬臂(62E)读取位置信息，并根据位置信息，执行所有其他悬臂的定位控制或移动控制。
- 包括各向异性导电层的铁电记录介质、记录器及记录方法-200510102838.2
- 高亨守;丁柱焕;洪承范;朴弘植;朴哲民;白庚录 - 三星电子株式会社
- 2005-09-13 - 2006-05-03 - G11B9/02
- 提供了一种铁电记录介质，包括：铁电记录层，由极性可反转的铁电材料形成；各向异性导电层，覆盖铁电记录层并能够基于外部的能量变成导电体或非导电体。
- 专利分类
