[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200710161880.0 | 申请日： | 2007-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101257042A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 内藤慎哉;藤原英明;坛彻 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够充分抑制空穴的移动的半导体装置。该半导体装置(npn型的双极晶体管100)具备电荷移动防止膜(7)，其在n型集电层(2)、由P+扩撒层(4)、SiGe层(4)、SiGe层(5)以及p型硅膜(6)构成的基层、n型发射层(8)、n型集电层(2)和n型发射层(8)之间形成，且具有作为相对电子或空穴的任一方的势垒的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：第一导电型的集电层；第二导电型的基层；第一导电型的发射层；和电荷移动防止体，其在上述集电层和上述基层之间的边界、上述基层中、上述基层和上述发射层之间的边界以及上述发射层中的至少任一个中形成，具有作为相对电子或空穴的任一方的势垒的效果。
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