[发明专利]半导体装置以及使用其的电子设备无效
| 申请号： | 200710160845.7 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101210845A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 木村肇 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G01J1/44 | 分类号： | G01J1/44;G09G3/34;G09G3/36;G09G5/10;H01L27/144;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;刘宗杰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种能够读取低照度的半导体装置。该半导体装置包括光电转换元件、二极管连接的第一晶体管、第二晶体管，其中，第一晶体管的栅极电连接到第二晶体管的栅极，并第一晶体管的源极以及漏极中的一方通过光电转换元件电连接到第二晶体管的源极以及漏极中的一方，且第一晶体管的源极以及漏极中的另一方电连接到第二晶体管的源极以及漏极中的另一方。通过使用阈值电压不同的晶体管作为第一晶体管和第二晶体管，可以获得能够读取低照度的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 使用 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：光电转换元件；二极管连接的第一晶体管；以及第二晶体管，其中，所述第一晶体管的栅极电连接到所述第二晶体管的栅极，并且，所述第一晶体管的源极以及漏极中的一方通过所述光电转换元件电连接到所述第二晶体管的源极以及漏极中的一方，并且，所述第一晶体管的源极以及漏极中的另一方电连接到所述第二晶体管的源极以及漏极中的另一方，并且，所述第一晶体管以及所述第二晶体管具有不同的阈值电压。
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