[发明专利]半导体磁性传感器

摘要

本发明涉及一种半导体磁性传感器。为了检测从外界施加的磁场的磁通量密度，本发明的半导体磁性传感器包括：晶体管(MP101)，其形成在霍尔元件(100)一侧，该晶体管(MP101)用于驱动所述霍尔元件(100)，并具有连接到形成在所述一侧的端子(C101)上的漏极；晶体管(MP102)，其形成在霍尔元件(100)的所述一侧，该晶体管(MP102)具有连接到形成在所述一侧的端子(C102)上的漏极；晶体管(MN101)，其形成在与霍尔元件(100)的所述一侧相对的另一侧上，该晶体管(MN101)具有连接到形成在所述另一侧的端子(C103)上的漏极；晶体管(MN102)，其形成在所述另一侧，该晶体管(MN102)具有连接到形成在所述另一侧的端子(C104)上的漏极。

主权项

1.一种半导体磁性传感器，其用于检测从外界施加的磁场的磁通量密度，该半导体磁性传感器包括：霍尔元件，其用于执行磁电转换，该霍尔元件以正方形或矩形形状形成；第一晶体管，其形成在所述霍尔元件的一侧，用于驱动所述霍尔元件，该第一晶体管具有连接到第一端子的漏极，并具有连接到电源端子的源极，所述第一端子形成在所述霍尔元件的所述一侧；第二晶体管，其形成在所述霍尔元件的所述一侧，用于驱动所述霍尔元件，该第二晶体管具有连接到第二端子的漏极，并具有连接到所述电源端子的源极，所述第二端子形成在所述霍尔元件的所述一侧；第三晶体管，其形成在所述霍尔元件的与所述一侧相对的另一侧，用于驱动所述霍尔元件，该第三晶体管具有连接到第三端子的漏极，并具有连接到接地端子的源极，所述第三端子形成在所述霍尔元件的所述另一侧；第四晶体管，其形成在所述霍尔元件的所述另一侧，用于驱动所述霍尔元件，该第四晶体管具有连接到第四端子的漏极，并具有连接到所述接地端子的源极，所述第四端子形成在所述霍尔元件的所述另一侧。