[发明专利]半导体磁性传感器

权利要求书

1.一种半导体磁性传感器，其用于检测从外界施加的磁场的磁通量密度，该半导体磁性传感器包括：

霍尔元件，其用于执行磁电转换，该霍尔元件以正方形或矩形形状形成；

第一晶体管，其形成在所述霍尔元件的一侧，用于驱动所述霍尔元件，该第一晶体管具有连接到第一端子的漏极，并具有连接到电源端子的源极，所述第一端子形成在所述霍尔元件的所述一侧；

第二晶体管，其形成在所述霍尔元件的所述一侧，用于驱动所述霍尔元件，该第二晶体管具有连接到第二端子的漏极，并具有连接到所述电源端子的源极，所述第二端子形成在所述霍尔元件的所述一侧；

第三晶体管，其形成在所述霍尔元件的与所述一侧相对的另一侧，用于驱动所述霍尔元件，该第三晶体管具有连接到第三端子的漏极，并具有连接到接地端子的源极，所述第三端子形成在所述霍尔元件的所述另一侧；

第四晶体管，其形成在所述霍尔元件的所述另一侧，用于驱动所述霍尔元件，该第四晶体管具有连接到第四端子的漏极，并具有连接到所述接地端子的源极，所述第四端子形成在所述霍尔元件的所述另一侧。

2.根据权利要求1所述的半导体磁性传感器，其中：

所述第三晶体管的漏极经由第一布线连接到所述第三端子，在掩模设计方面，该第一布线与旋转180度后的、对所述第一晶体管的漏极与所述第一端子进行连接的第二布线具有相同形状；而且

所述第四晶体管的漏极经由第三布线连接到所述第四端子，在掩模设计方面，该第三布线与旋转180度后的、对所述第二晶体管的漏极与所述第二端子进行连接的第四布线具有相同形状。