[发明专利]阵列衬底、显示器及其制造方法无效
申请号: | 200710159650.0 | 申请日: | 2007-11-22 |
公开(公告)号: | CN101202286A | 公开(公告)日: | 2008-06-18 |
发明(设计)人: | 升谷雄一;野海茂昭;岛村武志;青木理 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;H01L21/3213;H01L21/768;G02F1/1362;G03F7/20 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳;刘宗杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种在形成多种薄膜图形的区域,在同一照相制版工序中进行中间曝光的场合,中间抗蚀剂膜厚的偏差减小,形成中间抗蚀剂膜厚而加工的工艺保留余地增加而成品率提高、成本降低的阵列衬底、显示器、及其制造方法。在阵列衬底(100)中,在由第2导电膜形成的漏电极(8)、源极端子(62)、及共用连接布线(46)上分别具有,采用不完全曝光抗蚀剂(30)的中间曝光量,形成中间抗蚀剂膜厚而加工的区域(H1、H2、H3)。在该区域(H1、H2、H3)的下层的大致整个区域中,以离衬底(1)的高度基本相同的方式形成有由第1导电膜形成的薄膜图形(12、15)或共用布线(3)。 | ||
搜索关键词: | 阵列 衬底 显示器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种阵列衬底,其具有:衬底;采用不完全曝光抗蚀剂的中间曝光量,形成中间抗蚀剂膜厚而加工的多种薄膜图形;上述多种薄膜图形按照离上述衬底的高度基本相同的方式形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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