[发明专利]绝缘体上硅FET及其方法有效
| 申请号： | 200710154424.3 | 申请日： | 2007-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101159289A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | R·Q·威廉姆斯;B·A·安德森;E·J·诺瓦克;A·布赖恩特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种FET具有浅源极/漏极区域、深沟道区域、栅极叠层和被介质围绕的背栅极。所述FET结构还包括延伸通过所述沟道区域的整个深度的晕圈或袋注入。因为所述沟道的所述晕圈和阱掺杂的一部分比所述源极/漏极深度深，因此可以获得更好的阈值电压和工艺控制。还提供了一种具有在所述浅源极/漏极之下在所述沟道区域和所述背栅极之间延伸的所述结构中的第一介质层的背选通FET结构。所述第一介质层从所述源极/漏极区域之下在所述背栅极的任一侧上延伸并与第二介质层接触以便介质在每一侧约束或隔离所述背栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 fet 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘体上硅(SOI)场效应晶体管(FET)包括：衬底，具有顶表面；栅极，在所述衬底的所述顶表面之上；沟道区域，在所述栅极之下的所述衬底中；以及源极和漏极区域，在所述衬底中在所述沟道的对侧上，其中当与所述源极和漏极区域相比时，所述沟道区域延伸从所述顶表面到所述衬底中的更远的距离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710154424.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：音频再现装置和程序
- 下一篇：电脑连接线的端子插座改良
- 同类专利
- 专利分类
