[发明专利]绝缘体上硅FET及其方法

权利要求书

1.一种绝缘体上硅(SOI)场效应晶体管(FET)包括：

衬底，具有顶表面；

栅极，在所述衬底的所述顶表面之上；

沟道区域，在所述栅极之下的所述衬底中；以及

源极和漏极区域，在所述衬底中在所述沟道的对侧上，

其中当与所述源极和漏极区域相比时，所述沟道区域延伸从所述顶表面到所述衬底中的更远的距离。

2.根据权利要求1的结构，其中所述沟道区域的一部分是部分耗尽的。

3.根据权利要求1的结构，其中所述沟道区域是完全耗尽的。

4.根据权利要求1的结构，其中所述沟道区域包括在所述沟道的对侧上的晕圈注入，并且其中当与所述源极和漏极区域相比时，所述晕圈注入延伸从所述顶表面到所述衬底中的更远的距离。

5.根据权利要求1的结构，其中所述FET包括位于所述沟道区域之下并比所述沟道区域位于从所述顶表面到所述衬底中的更远的距离的背栅极。

6.根据权利要求5的结构，其中所述背栅极位于所述衬底中以便所述衬底在所述背栅极的至少两侧上围绕所述背栅极。

7.一种绝缘体上硅(SOI)场效应晶体管(FET)包括：

衬底，具有顶表面；

栅极，在所述衬底的所述顶表面之上；

沟道区域，在所述栅极之下的所述衬底中；

源极和漏极区域，在所述衬底中在所述沟道的对侧上，以及

晕圈注入，在所述沟道的对侧上，

其中当与所述源极和漏极区域相比时，所述沟道区域延伸从所述顶表面到所述衬底中的更远的距离，并且其中当与所述源极和漏极区域相比时，所述晕圈注入延伸从所述顶表面到所述衬底中的更远的距离。

8.根据权利要求7的结构，其中所述沟道区域的一部分是部分耗尽的。

9.根据权利要求7的结构，其中所述沟道区域是完全耗尽的。

10.根据权利要求7的结构，其中所述FET包括位于所述沟道区域之下并比所述沟道区域位于从所述顶表面到所述衬底中的更远距离的背栅极。

11.根据权利要求10的结构，其中所述背栅极位于所述衬底中以便所述衬底在所述背栅极的至少两侧上围绕所述背栅极。

12.一种制造绝缘体上硅(SOI)场效应晶体管(FET)的方法，包括以下步骤：

提供SOI晶片；

进行沟槽隔离以形成阱区域；

在所述阱的对端上进行各向异性蚀刻以产生邻近沟道区域的对侧的从衬底的顶表面延伸到所述衬底中的腔；

使用所述衬底填充所述腔的一部分；以及

使用导电材料填充所述腔的未填充的部分以产生源极和漏极区域，

其中当与所述源极和漏极区域相比时，所述沟道区域延伸从所述顶表面到所述衬底中的更远的距离。

13.根据权利要求12的方法，还包括形成在所述沟道的对侧上的晕圈注入，当与所述源极和漏极区域相比时，所述晕圈注入延伸从所述顶表面到所述衬底中的更远的距离。

14.根据权利要求12的方法，其中所述SOI晶片包括在所述衬底的两层之间的背栅极层。

15.根据权利要求14的方法，其中所述各向异性蚀刻从所述衬底的所述顶表面向下蚀刻通过所述背栅极层以形成位于所述沟道区域之下的背栅极，并且所述衬底在所述背栅极的至少两侧上围绕所述背栅极。

16.一种制造绝缘体上硅(SOI)场效应晶体管(FET)的自对准方法包括：

在衬底上形成栅极叠层；

进行浅沟槽隔离以在所述衬底中形成阱区域；

在所述阱的对端上进行各向异性蚀刻以产生邻近沟道区域的对侧的从所述衬底的顶表面延伸到所述衬底中的腔；

填充所述腔的一部分；以及

使用导电材料填充所述腔的未填充的部分以产生源极和漏极区域，

其中当与所述源极和漏极区域相比时，所述沟道区域延伸从所述顶表面到所述衬底中的更远的距离。

17.根据权利要求16的方法，其中所述沟道区域包括与所述栅极叠层基本一致的边缘。