[发明专利]衬底处理装置无效
申请号: | 200710153577.6 | 申请日: | 2007-09-21 |
公开(公告)号: | CN101148755A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
发明(设计)人: | 境正宪;水野谦和;佐佐木伸也;山崎裕久 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立国际电气 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/52;C23C16/40;H01L21/00;H01L21/02;H01L21/316 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 季向冈;苏娟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种衬底处理装置,其具有以层合的状态收纳多个衬底的处理室、对衬底和处理室内的环境气体进行加热的加热装置、供给热分解的原料气体的第一气体供给装置、供给氧化气体的第二气体供给装置、排出处理室内的环境气体的排出装置、至少对第一、第二气体供给装置及排出装置进行控制的控制部,第一气体供给装置还具有至少一个向处理室导入原料气体的第一导入口,第一导入口避开衬底侧而开口,第二气体供给装置还具有至少一个向处理室导入氧化气体的第二导入口,第二导入口向着衬底侧开口,控制部控制第一、第二气体供给装置及排出装置,以便向处理室交替地供给原料气体和氧化气体并排气,从而在衬底上生成所需要的膜。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种衬底处理装置,具有:以层合的状态收纳多个衬底的处理室;对所述衬底和所述处理室内的环境气体进行加热的加热装置;供给原料气体的第一气体供给装置,所述原料气体在由所述加热装置加热的所述处理室内的环境气体的温度下发生自分解;供给氧化气体的第二气体供给装置;排出所述处理室内的环境气体的排出装置;以及至少对所述第一气体供给装置、所述第二气体供给装置以及所述排出装置进行控制的控制部,所述第一气体供给装置还具有至少一个向所述处理室导入所述原料气体的第一导入口,所述第一导入口避开收纳于所述处理室内的所述衬底侧的方向而开口,所述第二气体供给装置还具有至少一个向所述处理室导入所述氧化气体的第二导入口,所述第二导入口向着收纳于所述处理室内的衬底侧的方向而开口.所述第一气体供给装置还具有沿着所述衬底的层合方向延伸设置的第一喷嘴,在所述第一喷嘴的前端设有一个所述第一导入口,所述第二气体供给装置还具有沿着所述衬底的层合方向延伸设置的第二喷嘴,在所述第二喷嘴的侧壁设有多个所述第二导入口,所述加热装置将所述衬底和所述处理室内的环境气体加热到180~250℃,所述控制部控制所述第一气体供给装置、所述第二气体供给装置以及所述排出装置,以便向所述处理室交替地供给作为所述原料气体的四(甲基乙基氨基)铪和作为所述氧化气体的臭氧并进行排气,从而在所述衬底上生成氧化铪膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的