[发明专利]半导体激光装置、其制造方法以及使用该装置的光学拾取头装置无效

专利信息
申请号: 200710152611.8 申请日: 2007-09-19
公开(公告)号: CN101154794A 公开(公告)日: 2008-04-02
发明(设计)人: 福本悟;金子延容 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01S5/00 分类号: H01S5/00;G11B7/125
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 沈昭坤
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种半导体激光装置及其制造方法,该半导体激光装置能够充分地将由半导体激光元件所产生的热量进行散热,且制造工序简单,并且能够调整光路长。激光芯片(3)通过块状体(2)和平板(1)与壳体(8)接合。另外平板(1)从块状体(2)和平板(1)的接合面露出一部分,当设置在壳体(8)上时,从壳体(8)的外侧向内侧插入激光芯片(3)和块状体(2),并且平板(1)露出在壳体(8)的外侧。激光芯片(3)的出射光的光轴与壳体(8)的接地面平行。
搜索关键词: 半导体 激光 装置 制造 方法 以及 使用 光学 拾取
【主权项】:
1.一种半导体激光装置,其特征在于,包括:用于和壳体接合的平板;接合在与所述平板的厚度方向垂直的一面上的块状体;以及接合在所述块状体的与所述平板接合侧的面的相反侧的面上的激光芯片,对所述平板设置与所述块状体接合侧的面的一部分露出的露出部,所述激光芯片的出射光的光轴与所述平板的厚度方向垂直。
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