[发明专利]具有抗蚀性绝热层的温度受控衬底夹持器有效
| 申请号： | 200710151862.4 | 申请日： | 2007-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101154612A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 塚本雄二 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李剑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于在处理系统中支撑衬底的衬底夹持器包括具有第一温度的温度受控支撑基座、与温度受控支撑基座相对并且被配置为支撑衬底的衬底支撑、以及耦合到衬底支撑并且被配置为将衬底支撑加热到高于第一温度的第二温度的一个或多个加热元件。抗蚀性绝热体被置于温度受控支撑基座和衬底支撑之间，其中抗蚀性绝热体包括被配置为抗含卤素气体腐蚀的材料组分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 抗蚀性 绝热 温度 受控 衬底 夹持 | ||
【主权项】：
1.一种用于在处理系统中支撑衬底的衬底夹持器，包括：具有第一温度的温度受控支撑基座；与所述温度受控支撑基座相对并且被配置为支撑所述衬底的衬底支撑；耦合到所述衬底支撑并且被配置为将所述衬底支撑加热到高于所述第一温度的第二温度的一个或多个加热元件；以及置于所述温度受控支撑基座和所述衬底支撑之间的抗蚀性绝热体，其中所述抗蚀性绝热体包括被配置为抗含卤素气体腐蚀的材料组分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
