[发明专利]闪存器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710149501.6 | 申请日： | 2007-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101140909A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 南相釪 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/762;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种闪存器的制造方法，该方法增加一个单元中浮栅和控制栅之间的耦联率。该方法包括：在半导体衬底的有源区域上按序形成用于浮栅的隧道氧化物膜，多晶硅和第一绝缘薄膜；在所述第一绝缘薄膜上形成光刻胶来充当掩膜，以及使用所述光刻胶充当掩膜进行蚀刻工艺；在半导体衬底上，为了防止氧化，形成硬质掩膜沉积在第二绝缘薄膜上；使用硬质掩膜形成STI；氧化所述STI的侧壁并且缝隙填充STI；通过移除一直充当硬质掩膜的所述的第二绝缘薄膜硬质掩膜形成浮栅；并且在所述浮栅上按序形成ONO薄膜和控制栅。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种闪存器件的制造方法，该方法包括：在半导体衬底的有源区域上按序形成隧道氧化物膜、多晶硅薄膜和第一绝缘薄膜；在所述第一绝缘薄膜上进行蚀刻工艺；在半导体衬底上形成硬质掩膜；使用所述硬质掩膜形成STI；氧化所述STI的侧壁并且缝隙填充STI；通过移除所述硬质掩膜形成浮栅；以及在所述浮栅上按序形成ONO薄膜和控制栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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